近期有消息称三星电子与其客户（包括小米、OPPO和谷歌）签署了存储芯片供应协议，价格比现有合同高出10%至20%。此外，消息还显示，三星电子已经对DRAM和NAND闪存芯片涨价了10%至20%。
一、存储芯片的分类
存储芯片主要分为以下几类：
1.易失性存储芯片：主要包括随机存取器（RAM），RAM在断电后保存的数据会自动消失。其中，动态随机存取器（DRAM）是使用较广泛的一种易失性存储芯片，常用于电子产品的内存条。
2.非易失性存储芯片：主要包括一些不会因断电失去数据的存储器，比如只读存储器（ROM）和闪存（Flash）。闪存又分为两种类型，即NAND Flash和NOR Flash。NAND Flash适用于高容量存储，常用于固态硬盘（SSD），而NOR Flash常用于嵌入式设备。
3.其他类型的存储芯片：除了上述常见的存储芯片，还有一些其他类型的存储芯片。例如，近年来兴起的新型存储技术包括相变存储器（PRAM）、镁铁氧体随机存储器（STT-RAM）等。
需要注意的是，存储芯片的分类还有其他细分，具体分类方式可能会因不同的领域和应用而有所不同。通过不断的技术创新和发展，存储芯片的种类也在不断丰富和演变。
二、存储芯片涨价的历史原因回顾
手机存储芯片涨价的原因可能有以下几点：
1. 需求增加：随着智能手机市场的逐渐回暖，手机存储芯片的需求也在增加。消费者对于手机存储容量的需求不断上升，导致存储芯片的价格上涨。
2. 供应紧张：由于全球疫情等因素导致供应链受到影响，部分存储芯片生产商减产或停产，使得市场供应紧张，进而推动价格上涨。比如2020年时期
3. 成本上升：存储芯片的生产成本受到原材料、人工、设备等多方面因素的影响。当这些成本上升时，存储芯片的生产商往往会把成本转嫁到消费者身上，即提高芯片价格。
4. 货币贬值：当货币贬值时，购买力下降，进口芯片的成本上升，这也可能会导致手机存储芯片价格上涨。 有时间的朋友可以画一画人民币汇率变化跟芯片的价格趋势对比图。
5. 巨头提价：全球存储芯片市场主要由几家巨头企业主导，如三星、美光等。当这些巨头企业提高芯片价格时，整个市场的价格也会随之上涨。本次就是三星提价。
总结来看，手机存储芯片涨价可能是由多种因素共同作用的结果。不过，市场行情会随着供需关系、市场环境等因素的变化而发生调整，因此存储芯片价格的涨跌仍具有不确定性。
三、涨价的连锁反应以及本次上涨的原因
那么本次什么原因呢？可能是历史涨价原因中的1、2、4、5的原因。
存储芯片涨价会引发一系列连锁反应。以下是一些可能的连锁反应：
1. 产品价格上涨：存储芯片价格上涨将直接导致相关产品的价格上涨，如手机、电脑等电子设备。消费者可能需要支付更高的价格购买这些产品。
2. 减少采购量：面对存储芯片的涨价，一些厂商可能会减少采购量，以降低成本。这可能导致供应链中的其他企业受到影响，包括原材料供应商、制造商等。
3. 企业利润下降：对于那些依赖存储芯片的企业来说，存储芯片涨价可能会使其利润减少。企业可能需要寻找其他替代品或者考虑调整产品定价以适应市场。
4. 技术升级延缓：存储芯片是电子产品中的关键组成部分，涨价可能导致企业在技术升级方面的计划延缓，或者推迟推出新产品，以等待市场回暖或成本下降。
5. 消费者购买力下降：存储芯片价格上涨可能会使消费者的购买力下降，特别是对于那些低收入家庭而言。他们可能会面临更大的经济压力，难以购买高价的电子产品。
需要注意的是，这些连锁反应并不是绝对的，具体影响会受到市场条件、竞争状况和消费者需求等多种因素的影响。
本次存储芯片涨价的原因还存在一定的争议，目前观察下来可能的原因：
1. 芯片供需失衡：存储芯片市场一直存在供需紧张的情况，近些年来智能手机、数据中心等需求的增长导致存储芯片需求量增加。与此同时，制造商的产能增长相对较慢，致使供应不能完全满足市场需求，这可能是涨价的原因之一。
2. 项目投资和技术升级的成本上升：制造商为了满足不断增长的市场需求，需要进行更高成本的项目投资和技术升级。例如，5G、6G网络的发展带来了数据中心的快速成长，加速了存储芯片的需求。这些额外的成本可能导致制造商调整产品价格。
3. 原材料价格上涨：存储芯片制造过程中需要使用若干原材料，比如硅片、金属等。如果原材料的价格上涨，将对存储芯片的制造成本产生影响，进而推动价格上涨。
4. 市场垄断和供应链问题：存储芯片市场相对集中，少数几家厂商占据着主导地位。当某一家厂商出现供应链问题、减产或限制供应时，市场供应量将受到影响，而市场供需失衡则推动了价格上涨的可能性。如次三星等有话语权。
需要注意的是，这些可能的原因并非绝对，具体原因可能受到市场情况、供需关系和制造商策略等多种因素的影响。存储芯片市场复杂多变，涨价的背后有许多因素需要综合考虑。
有观点认为今年DRAM及NAND闪存位供应降幅或在10%之上。随着龙头减产，存储市场拐点已隐隐显现，信达证券指出，前期存储原厂减产效应或已显现，库存去化效果明显，并且伴随着市场备货旺季到来，整体出货节奏加快，价格或已显现拐点，存储周期有望开启复苏。
四、为什么手机商接受涨价
手机厂商为何接受涨价？知情人士称，这些厂商预计智能手机销量有望增加，特别是在海外市场。
与此同时，三星还计划以更高价格，向自家生产Galaxy系列手机的移动业务部门供应存储芯片，以此反应移动芯片价格上涨的趋势。
另据台媒今日报道，三星、铠侠及SK海力士等上游NAND Flash原厂已开始拉高晶圆合约价。由于中间通路及下游系统模组厂手中库存低于正常季节水准，引发终端抢货，消费性SSD、存储卡，手机相关零组件如eMMC、eMCP价格全面走扬。供应链表示，目前平均涨幅约在个位数左右，由于部分存储产品库存水位相对较低，因此四季度涨幅有望上看双位数。
TrendForce称，韩国内存芯片厂商已决定提高其最新芯片的价格，涨价可能会持续到四季度。
该机构日前发布的另一篇研报显示，NAND Flash Wafer合约价已在8月反弹，且随着减产幅度扩大，客户备货力度有望回升，有效支撑9月NAND Flash晶圆合约价续涨。该机构预计，预计Q4 NAND Flash均价有望因此持平或小幅上涨，环比涨幅约0~5%。
还有业内人士透露，NAND闪存客户不再削减订单量，转而开始增加订单。
当然，涨价的风并非仅限于NAND闪存——在DRAM市场，得益于LPDDR5X等智能手机相关存储新品带动，DRAM芯片价格也开始逐步上涨。
综合实际情况，笔者认为当前存储芯片涨价的原因是备货季到来，市场供应不足，需求旺盛。此外，行业内也有消息称，存储巨头三星、SK海力士和美光都计划涨价。虽然具体的涨价幅度有所不同，但存储芯片行业整体的涨价趋势已经成为共识。
存储从7月小幅度涨价，到9月10%上涨，相信后面涨价节奏一定会超预期。
需求端：三大终端领域需求数量回升。单机需求Gbit增长2-4倍。
供给端：海外三大原厂持续缩减。国内扩产受制设备放缓。
存储芯片涨价对市场和消费者会产生一定的影响，笔者风金平坚定的认为可能是消费电子止跌企稳的重要信号。随着华为手机的Mate60以及iPhone15系列的供应，全球全国的换机潮开始。整个芯片市场需求增加。叠加部分大企业主动去库存，芯片行业止跌企稳回升态势苗头开始。建议持续关注海外芯片市场指数以及国内芯片ETF等走势进行确认。
卖方观点：
【德邦电子】存储动态跟踪：现货价拉动合约价上涨，三星减产库存去化再提速
DRAM：现货涨跌幅首次转正，三星合约价率先调涨
根据DRAMexchange，上周（0904-0911）DRAM 18个品类现货价格环比涨跌幅为-1.6%~+3.6%，平均涨跌幅为+0.5%，前值为-0.2%，现货价平均涨跌幅首次止跌转正。而据《韩国经济日报》，三星近期与小米、OPPO 和谷歌等客户签署DRAM/NAND 供应协议，合约价亦调涨10-20%。现货价涨价已陆续传导至合约价，存储供需拐点在即。
NAND：三星减产幅度扩大至50%，库存去化再提速
上周（0904-0911）NAND现货价格环比涨跌幅区间为-1.6%~+0.7%，31个品类平均涨跌幅为-0.1%，前值为-0.2%，跌幅进一步收窄。而NAND Wafer价格则连续7周修复，我们看好NAND行业由供给向需求端的价格传导。此外，三星宣布9月起扩大NAND减产幅度至50%（以128层以下制程为主），TrendForce预计其他供应商也将跟进扩大Q4减产幅度，库存去化再提速，后续合约价有望跟进调涨。
相关标的：
?存储模组：江波龙（进军企业级&信创市场）、朗科科技（韶关数据中心逐步落地）、德明利（NAND主控+模组）等
?存储芯片：兆易创新（NOR+DRAM龙头）、东芯股份、普冉股份等
?DDR5配套：澜起科技、聚辰股份等
风险提示：需求、技术迭代、竞争风险。
民生电子：
【半导体设备】调整原因+订单展望，继续推荐
今日设备板块回调，市场主要担心资本开支趋势。但当前位置我们仍旧看好设备底部布局机遇。
担忧1：存储厂商
湖北厂商：尽管今年短期放缓，但通线目标没变，24年扩产目标维持；
福建厂商：年初部分厂商对福建客户的扩产预期较高（2万片），本次合理下修；
担忧2：S厂
今年来S厂订单释放较少，但上半年仍实现30亿美元资本开支，#全年资本开支目标不变。截止中报，京城项目已经投产，24年还将新增临港产线，28nm扩产规划维持，下半年仍有望看到订单释放。
除以上大厂以外，诸多厂亦保持积极扩产规划。华虹完成科创板IPO，预计年内开始无锡二期扩产，诸多二线厂商燕东、晶合亦在有序推进。当前位置我们仍看好设备国产化长期趋势，继续推荐。
➡拓荆科技：逻辑先进制程、先进存储均有较完整的产品线覆盖；
➡中微公司：先进存储客户1年内达成70-80%份额目标；
➡北方华创：全年订单增速目标30%+领先板块；
➡芯源微：短期受限于后道设备需求走弱，DRAM/NAND客户均顺利送样
【国金电子】存储筑底完成，重点关注中间环节补库及AI带动HBM与DDR5需求
1，英伟达业绩超预期，并点明搭载HBM3e的第二代GH200将于24Q2出货。此前，8月21日，SK海力士宣布其开发出的HBM3e DRAM已经提供给英伟达（NVIDIA）和其他客户评估，并计划明年上半年量产，进一步巩固其在AI存储领域地位。
2，据CFM闪存市场分析，2023年二季度全球NAND Flash市场规模环比增长5%至91.28亿美元，DRAM市场规模环比增长11.9%至106.75亿美元。整体来看，二季度全球存储市场规模198.03亿美元，环比增长9%，同比下跌54%。尤其在mobile收入增长及DDR5、HBM等出货扩大的推动下，SK海力士的NAND Flash和DRAM收入分别实现26.4%和48.9%的环比增长，为收入增速最快的原厂，其市场占比也进一步得到提高。
近两周以来存储板块股价持续调整，目前已在底部徘徊。另外，行业变好趋势加快：1）价格端：颗粒大厂已明确向下游传达涨价讯号，现货价已连续两周不跌；2）供给端：颗粒原厂持续减产（预计今年整体减产30-40%）以及下游中间环节模组及代理厂商开启抢跑补库有望加速原厂去库；3）需求端：手机、PC边际改善，终端库存基本出清，未来新品发布，容量升级均拉动需求改善；服务器方面，算力GPU紧俏拉动HBM需求，三大厂争先布局HBM，叠加通用服务器CPU升级推动DDR5渗透，预计下半年需求加速改善。
重点关注：
模组和代理商环节（博弈库存逻辑）：香农芯创（海力士数据中心存储代理商，国内HBM核心标的）、朗科科技、深科技、德明利、江波龙；
存储芯片相关（博弈Q3基本面边际改善预期）：兆易创新、澜起科技（受益DDR5需求）、东芯股份。
资料来源：[1]新浪财经，[2]网易，[5]网易，[4]搜狐等媒体
