半导体材料位于整个半导体行业的上游，主要分为制造和封装材料。
(1)制造材料:硅片、掩模板、光刻胶、湿电子化学品、抛光材料、电子特气、靶材七大类。
成本分布:硅片33%，电子特气13%，掩膜版12%，光刻胶6%，湿电子化学品7%，抛光材料6%，靶材2%。
(2)封装材料：引线框架、封装基板、陶瓷基板、键合丝等。
(1)硅片:8寸国产化率55%，12寸国产化率10%，国内厂商:沪硅产业、立昂微。
(2)掩模板:晶圆厂家以自产为主。国内厂商:菲利华，清溢光电。
(3)光刻胶:高端国产化率约10%，国内厂家:桐城新材、南大光电、晶瑞电材、上海新阳。
(4)湿电子化学品:G3及以上国产化率约10%，国内厂家:江化微、格林达。
(5)电子特气:国产化率约15%，国内格局分散，包括华特气体、金宏气体、雅克科技。
(6)CMP抛光材料:抛光液约30%、抛光垫约20%，国内厂家:安吉科技、鼎龙股份。
(7)靶材:国产化程度最高，国内厂家:江丰电子。
半导体硅片工艺复杂，主要环节包括晶体生长、硅片成型、外延生长。
8英寸和12英寸硅片是市场上的主流产品。按工艺分类，主要分为抛光片、外延片和SOI硅片。
信越化学是全球半导体硅片市场高度集中的前五大制造商SUMCO、环球晶圆、Siltronic、SK Siltron总市场份额占90%。
沪硅产业：国内半导体硅片龙头厂家，8寸产能45万片/月，12寸产能30万片/月。
掩膜版是光刻工艺中使用的图形母版，功能类似于传统相机的底片。
台积电、三星、英特尔、中芯等晶圆厂使用的掩膜版主要是自研自产的。
清溢光电：国内最大的掩膜版厂家。
光刻技术是指利用光化学原理和刻蚀方法将图形传递到介质层，形成功能图形的工艺技术。
光刻胶是一种图形转移介质，它通过曝光显影蚀刻工艺将掩模板上的图形转移到基底。
根据不同的应用领域，光刻胶是PCB、LCD、半导体光刻胶，技术门槛逐渐提高。
光刻胶由树脂、光引发剂、溶剂、单体和添加剂组成，树脂、光引发剂是影响光刻胶性能的最重要组成部分：
(1)树脂作为粘合剂，将不同材料聚集在光刻胶中。
(2)光引发剂是光刻胶中的光敏成分，吸收光能后分解为自由基，可引起单体化学交联反应。
JSRR全球半导体光刻胶市场、东京应化、杜邦、信越化学、住友、富士胶片等制造商垄断。
国内半导体光刻胶市场，只有桐城新材料、南大光电、晶瑞电材料、上海新阳、荣达感光。
南京大学光电：主要从事前驱材料、电子特性和光刻胶。公司自主研发的ARF光刻胶是第一款通过产品验证的国产ARF光刻胶。
湿电子化学品作为化学试剂，用于去除晶圆表面残留的污染物，减少光刻、蚀刻等工艺中的金属杂质。
湿电子化学品包括清洗液、显影液、漂洗液、蚀刻液、剥离液等。
国内湿电子化学品多集中在G3以下，国产化率80%；G3及以上国产化率约10%。
江化微：主要经营超净高纯试剂、光刻胶配套试剂等湿电子化学品。
电子特气是工业气体的重要分支，用于半导体生产的各个环节，有100多种。
根据不同的化学成分，电子特气可分为氟、硅、硼、锗氧化物和氢化物。
全球电子特气市场被美国空气化工、德国林德、法国液化空气和日本太阳日酸垄断，占总份额的94%。
近年来，国内电子特气国产化替代进程加快，包括华特气体、金宏气体、雅克科技、南大光电等主要厂家。
CMP，又称化学机械抛光，是半导体硅片表面加工的关键技术。
CMP采用机械摩擦和化学腐蚀相结合的工艺，其中化学腐蚀耗材为抛光液，机械摩擦耗材为抛光垫。
(1)抛光液市场，美国carbot是全球领先厂商，国内领先厂商是安吉科技。
(2)美国陶氏杜邦是抛光垫市场的主导地位，占全球市场份额的79%。国内领先厂商为鼎龙股份。
目标是制备薄膜的元素级材料，通过不同的离子光束和目标相互作用，获得不同的膜系，从而达到导电和阻挡的功能。
全球半导体靶材市场处于寡头垄断状态，日矿金属、霍尼韦尔、东曹、普莱克斯占全球市场份额的80%。
靶材国产化率高，供应商包括:江丰电子、有研新材料、阿石创、隆华科技
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