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我国存储大厂长江存储在美国加州北区对美光提起诉讼,指控美光 (MU-US) 侵犯11项专利,涉及3D NAND相关技术,长江存储请求法院勒令美光停止在美国销售侵权记忆体产品,并支付专利使用费。


据美国科技网站 Tomshardware报道,长江存储表示,美光的96层(B27A)、128层(B37R)、176层(B47R)及 232层(B58R)3D NAND Flash 以及美光的一些 DDR5 SDRAM 产品(Y2BM系列),侵犯长江存储在美国提交的 11 项专利或专利申请。
这些专利申请涵盖 3D NAND 和 DRAM 功能的一般层面。外媒认为,长江存储的目的,是让美光的日子更难过。

美国商务部在2022年底把长江储存打入黑名单,导致该公司无法从美国公司获得先进半导体设备来制造领先的128层及以上的 3D NAND Flash 器件。去年长江储存面临更大的问题,美国商务部禁止销售可用于制造超过 128 个 3D NAND 的晶圆厂工具和技术。
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