华为即将发布智能S7,800V“巨鲸”

华为即将发布智能S7 ，800V“巨鲸”采用“巨鲸” 行业内最薄的800V高压平台 高压电池组使手机充电速度更快，续航时间更长。

碳化硅是800V 与硅基IGBT相比，高压快充的标准配置 在400V 平台效率更高。800V 碳化硅NOSFET平台 整个系统的效率可以提高8%，而相同规格的尺寸仅为硅基IGBT 1/10。随着越来越多的汽车制造商开始使用它 800V 碳化硅在平台上的应用已成为大势所趋。

一、碳化硅是什么？

碳化硅 (SiC）它是一种第三代半导体材料，主要用于制造功率器件。现在绝大多数半导体材料都是硅基的(Si），SiC比例不到10%。SiC 产业链主要包括粉体、单晶材料、外延材料、芯片制备、功率装置、模块包装和应用等环节。

根据技术的发展，从高端逐步渗透取代现有IGBT是一种趋势。碳化硅装置能承受更大的电流和电压，更高的开关速度，更小的能量损失，更耐高温。因此，碳化硅制成的功率模块可以相应地减少电容器、电感器、线圈和散热组件的组件，使整个功率组件模块更轻、更节能、更强的输出功率，同时提高可靠性，具有明显的优势。

二、碳化硅的主要应用

1)新能源汽车领域

SiC是新能源汽车 目前，功率设备最大的应用领域是24亿美元的市场，2030年将超过150亿美元。IGBT通常用于新能源汽车的传统功率设备 但近年来，随着材料技术的发展，碳化硅(SiC)正成为技术热点。

目前，SiC 但是SiC已经实现了汽车规级应用， IGBT还没有完全取代，因为这些材料都有自己的技术优势。但是SiC 凭借其在性能和降低汽车成本方面的诸多优势，越来越受到新能源汽车市场的青睐，特别是牵引逆变器的应用越来越广泛，未来几年趋势将变得更加明显。

目前，特斯拉和蔚来的ET7已经开始使用碳化硅模块。

2)充电基础设施

SiC 在高功率充电桩领域具有很大的竞争优势。在汽车制造商的推动下，电池电压从400V开始 充电桩电压从500V增加到800V 增加到1000V，这也导致充电桩需要1200V电压 功率部件。以SiC为基础 功率开关管和功率二极管可提供比硅基IGBT 更紧凑的解决方案，更高的效率和频率，可以使高功率充电桩受益。

衬底是碳化硅器件制造成本中所占比例最大的部分，达到47%。衬底是碳化的 硅器件的核心部件，其质量和性能对器件的整体性能有着至关重要的影响。 ,延伸、前段、研发等环节的成本也占一定比例。

碳化硅产业链发展前景广阔。预计到2028年，全球碳化硅市场将达到66亿美元，其中新能源汽车市场将占据主导地位。此外，碳化硅单晶硅炉 市场空间也很大，预计2023-2026年市场空间将达到88亿元。

三、相关公司：

第一梯队的公司包括：

天科合达(未上市):2022年全球碳化硅 (SIC)市场份额占13%。

天富能源(91亿):日限，持有天科达到9 .09%的股份积极布局碳化硅新材料行业。

天岳先进(320亿):2022年，全球SIC市场占2%，覆盖2-8英寸全系列。

第二梯队公司包括：

斯达半导(323亿) :SiCMOSFET作为国内IGBT模块市场的自主开发者 该模块已在主电机控制器客户处完成验证，并开始小批量发货。

民德电子(53亿):每日限额，积极布局碳化硅设备核心环节的整个产业链，预计今年将开始大规模生产碳化硅延伸板，并有明确的意向客户，并将开始大规模生产碳化硅设备

甘化工(48亿):SiC功率器件的产业化开发和应用是通过参股14.32%的苏州错威来实现的。

第三梯队的公司包括：

晶升股份(78亿):占长晶炉市场份额的29%。

北方华创(1251亿):占长晶炉市场50%的份额。

第四梯队的公司包括：

宇环数控(38亿):涨停，一些碳化硅设备的样机已经推出，并在客户现场试用。

中芯集成(369亿):作为国内汽车规级OEM市场，实现了大规模汽车规级碳化硅MOS 产品量产，每月产能2000片(6寸)。

1. 天科合达现有产能:2-4寸碳化硅晶片产能5833片/月；4-8寸SiC衬底产能约5833片/月产能计划:预计碳化硅衬底项目年产能6寸碳化硅衬底12万片，其中6寸导电型SiC晶片约8.2万片，6寸半绝缘型SiC晶片约3.8万片。2.天岳先进现有产能:SiC衬底产能约5583件/月产能计划:预计2022年第三季度将实现碳化硅半导体材料项目一期投产，计划2026年实现全面生产，相应的6寸导电型SiC衬底产能为30万件/年。3. 河北同光现有产能:4-6英寸碳化硅单晶衬底产能833片/月产能计划:计划建设年产60万片碳化硅单晶衬底加工基地，预计2025年底全面运营。4.露笑科技现有产能:6寸SiC衬底预计2022年底实现5000片/月产能计划:2023年实现24万片导电SiC衬底和5万片外延片年产能计划。5. 韩天成现有产能：6寸SiC外延片一期产能5000片/月。二期工程于2022年3月31日成功竣工，产能1666件/月产能计划：碳化硅产业园三期工程将于今年内开工建设，三期工程产能规模将达到140万件。6. 东莞天宇现有产能:3寸、4寸SiC外延晶片产能超过166片/月产能计划:2022年3月，“国产碳化硅外延设备产业化应用”项目计划年产2万片6寸碳化硅外延晶片。7.斯达半导产能计划:SiCR&D及产业化项目，预计年产36万片6英寸SiC功率芯片的生产能力将在达到产能后形成；计划投资2.2947亿元建设年产8万个SIC功率模块生产线和R&D测试中心。8. 泰科天润现有产能:4寸SiC晶圆线产能666片/月；一期6寸SiC晶圆已通线，产能5000片/月2021年，6寸碳化硅电力电子设备生产线进入量产，一期产能预计6万片/年。9.华润微现有产能：6寸SiC晶圆生产线产能约1000片/月。10.时代电气现有产能:4寸SiC芯片线833片/月产能计划:SiC芯片线扩建工期24个月，预计建成后现有4寸SiC芯片线年产能将提升到6寸SiC芯片线2.5万片/年。11.三安光电现有产能:6寸SiC晶圆产能6000片/月产能计划:湖南三安一期工程竣工投产，6寸碳化硅晶圆产能3万片/月。12.士兰微现有生产能力：实现SIC功率器件试线生产能力计划：士兰明镓计划建设6英寸SIC功率器件芯片生产线，建设周期为3年，最终形成6英寸SIC功率器件芯片年产量14.4万件。13. Wolfspeed现有产能:预计2022年SiC衬底产能将相当于6寸，达到7.1万片/月产能计划:纽约第一家8寸SiC晶圆厂预计2022年第三季度量产。14. II-VI现有产能:SiC衬底产能相当于6寸，达到1666片/月产能计划:计划5年内6寸晶圆产能扩大5-10倍，2024年8寸衬底量产。15. Rohm产能计划:预计2025年Sic衬底产能将扩大到30-40万片，预计2023年量产8英寸，计划2025年投资850亿日元，使产能增长16倍。海涵财经