东方证券-国内存储产能比例低，投资确定性强。存储芯片占全球芯片制造能力的30%以上，存储芯片生产线的建设是半导体设备需求的主要来源之一。存储芯片产品标准化程度高，规模效应显著，国内DRAM、3D NAND 领域份额比例只有低个位数。而且国内存储领域的技术差距和海外差距继续缩小:DRAM 在该领域，长信存储已达到1Xnm（16nm-19nm）阶段。与国际先进水平相比，虽然仍存在一定差距，但近年来差距逐渐缩小；NAND 2022年长江存储领域 年推出232 层产品已与国际一线大厂媲美。
目前，国内存储制造商在扩大产能和竞争力的同时，迫切需要提高技术实力，未来资本支出投资的确定性较强。3D NAND 堆叠层数增加了对拉动刻蚀和薄膜沉积设备的需求。集成电路2D 存储器件的线宽已接近物理极限， NAND 闪存已进入3D 时代。3D NAND 在制造过程中，增加集成度的主要方法不再是缩小单层上线宽度，而是增加堆叠层数。目前堆叠层数为96/128 层向200 随着层数的增加，晶圆厂对蚀刻设备的需求增加。据东京电子统计，刻蚀设备占FLASH 芯片生产线资本支出比例从2D开始 15%的时代增长到3D 时代的50%。此外，3D 在工艺下，氧化硅和氮化硅的叠层结构应加工40：1 到60：1 极深孔或极深沟槽，3D NAND 层数的增加要求蚀刻技术实现更高的深宽比。
中微公司高深宽比刻蚀技术不断取得突破。极高深宽比刻蚀是存储器件中最困难、最关键的工艺，在各种膜结构上刻蚀极高深宽比(>40：1)深孔/深槽。公司自主开发了400KHz的高深比刻蚀机 取代2MHz 作为偏压射频源，为了获得更高的离子入射能量和准直性，深孔和深槽蚀刻的关键尺寸符合规格。
薄膜沉积设备在储存中应用广泛，拓荆科技在国内处于领先地位。自2010年以来，拓荆科技一直处于2010年 PECVD成立于2000年，开始开发薄膜沉积设备中最大的设备类别 PECVD设备 设备技术领域拥有十多年的研发和产业化经验，形成了全系列PECVD 预计薄膜材料设备将继续受益于国内下游客户的扩张。
我们对国内存储产业链潜在扩张带来的上游业绩弹性持乐观态度:设备环节:中微公司、拓荆科技、北方华创、精测电子、华海清科、芯源微、盛美上海、中科飞测-U、万业企业材料环节:鼎龙股份、安吉科技封测环节:万润科技、百维存储
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